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2021年两院院士增选结果揭晓,这四人研究领域跟照明相关!
发布时间:2021-11-23     阅读:165


11月18日,中国科学院、中国工程院院士增选结果揭晓。2021年中国科学院选举产生了65名中国科学院院士和25名中国科学院外籍院士。中国工程院新增产生84位中国工程院院士和20位中国工程院外籍院士。


据悉,跟照明领域相关的入选院士为四人,分别是:清华大学罗毅教授当选为中国工程院信息与电子工程学部院士;东北师范大学校长刘益春、中国科学院半导体研究所郑婉华、祝宁华研究员当选中国科学院信息技术科学部院士。


罗毅


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清华大学教授、中国工程院院士


罗毅,男,出生于1960年2月,1983年毕业于清华大学无线电电子学系电子物理与激光专业。清华大学教授,工学博士。


2021年4月23日,入选中国工程院2021年院士增选有效候选人名单, 6月2日,进入第二轮评审候选人名单。2021年10月18日当选中国工程院院士。


罗毅分别于1987年和1990年在日本东京大学工学部电子工学科获工学硕士与博士学位,1990年4月-1992年3月在日本光计测技术开发株式会社中央研究所任研究员。1992年4月回国,同年因学术成就突出被破格提升为清华大学电子工程系教授,1995年晋升为博士生导师。现担任集成光电子学国家重点联合实验室主任、清华大学实验区主任(该重点实验室在2002年由科技部组织的包括计算机、软件、信息材料与器件等所有36个信息类国家重点实验室的评估中获第一名)。曾任国际电机电子工程师学会主办的量子电子学杂志编委(Associate Editor of IEEE Journal ofQuantum Electronics,1996-1998)。


2002年,罗毅教授负责的2500万元的GaN蓝光发光管的研究与开发项目通过了鉴定;建设了包括德国AIXTRON公司MOCVD设备在内的GaN材料与器件研究基地,自行研制的蓝色发光二极管获得突破,15000余个器件的测试结果表明,器件的典型工作特性与国际上高亮度发光二极管的市场水平基本相当。


2003年,正式在深圳研究生院建立了以罗毅教授为实验室主任的半导体照明实验室,主要从事大功率照明用LED的封装技术研究,从而建成了从芯片外延到器件封装的一整套研究平台。科技部启动了半导体照明工程后,罗毅教授被选为专家组成员。


罗毅教授主要从事半导体光电子器件方面的研究工作,其中包括器件物理与设计,化合物半导体材料的外延生长技术、全息光栅的制作技术、器件制作工艺技术、材料与器件特性的评价技术。


近几年来的研究重点是分布反馈半导体激光器及单片光子集成器件,是增益耦合DFB激光器——国际公认的优秀光源的开创者之一,他也是国内最早从事DFB激光器与电吸收调制器单片集成研究的科学家。


刘益春


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东北师范大学校长、中国科学院院士


刘益春,男,汉族,1962年12月生,吉林辉南人,中共党员,教授,博士生导师,中国科学院院士。


第十二、十三届全国人大代表,中国高教学会常务理事、高等教育管理研究会副会长,第四届全国教师教育课程资源专家委员会主任委员, 第七届教育部科技委数理学部委员,国务院学位委员会第八届学科评议组成员,吉林省科协副主席。现任国际发光会议(ICL)程委会委员(2020大会主席),国际II-VI族化合物材料会议顾委会委员,中国科学院长春光机所发光与应用国家重点实验室学术委员会委员,浙江大学硅材料国家重点实验室学术委员会委员,中国真空学会常务理事,《InfoMat》副主编,吉林省照明学会第二届专家委员会副主任委员、专家库专家。国家杰出青年科学基金获得者,中国科学院百人计划,教育部跨世纪优秀人才,全国模范教师。


研究主要集中在:光电子功能材料与器件;低维体系材料与物性;存储材料与器件;纳米生物学效应与应用;光电转化材料与器件;新型导电材料与物性等。


发明了热氧化Zn3N2单晶薄膜制备p型ZnO的方法,成功制备出p型ZnO薄膜,该方法已被国际公认为制备p-ZnO的方法之一;利用微腔的光增益效应和纳米结构的量子限制效应,获得了在高温下(560 oC)仍具有高效紫外发射的纳米薄片材料,深入研究了材料的结构与高压相变行为,为进一步研制高温光电子器件奠定了基础;通过在p-GaN/n-ZnO异质结中引入i-ZnO层, 构造p-GaN/i-ZnO/n-ZnO新型结构,成功研制出室温近紫外发射的ZnO异质结紫外发光二极管。


发明了电子回旋共振(ECR)微波等离子体氮化制备高质量SiN薄膜的方法;根据纵向光学声子对P偏振红外强烈吸收的原理,建立和发展了利用P偏振红外反射吸收光谱表征超薄SiO2的方法。


在国际上提出了无形变sp2π-Cluster是发光中心的观点。提出了N进入sp3 网络引起配位数减少导致应力释放的重要结果;提出了N的桥作用以及sp2π-Cluster团簇及其它的各种形变决定能隙的大小;在国际上提出并证实了N进入a-C:H网络中引起C-H键的弱化和网络的不稳定性。


近年来在Adv. Mater., Phys. Rev. B., J. Phys.Chem.B, J. Chem. Phys., Appl. Phys. Lett, Optics Lett., 等杂志上发表SCI论文150余篇,发表论文被SCI他引800余次,获国家发明专利8项。应邀为美国《纳米科学与技术百科全书》撰写“低维氧化锌纳米结构和纳米异质结生长”专题。国内学术会议邀请报告9次,国际学术会议报告8次。


主持国家自然科学基金,中国科学院“百人计划”项目,国家杰出青年科学基金项目,国家“十一五”“863”课题、国家“十五”“863”子课题、教育部重大创新培育项目等多项课题。


郑婉华


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中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院院士


郑婉华,女,中国科学院半导体研究所研究员,中国科学院固态光电信息技术重点实验室主任。山东大学光学系学士,中国科学院物理研究所硕士,香港浸会大学博士,澳大利亚新南威尔士大学博士后。


主要从事人工微结构材料和半导体激光研究,她2003年回国后,最先向科技部建议在我国研究高性能光子晶体激光,并在国内率先突破激光激射,发展了从光子晶体能带调控、光子晶体激光结构设计、材料生长到芯片制造的全链条自主可控技术体系,在高性能光子晶体激光器基础原理和关键技术方面做出了开创性和系统性贡献。2010年度获国家杰出青年基金资助,2013年享受政府特殊津贴,2014年入选国家百千万人才工程,2019年入选山东省泰山学者特聘专家,2020年任国务院学位委员会第八届学科评议组成员。


她培养博士和硕士40余名,学生曾获中国科学院院长特别奖、博士研究生国家奖学金、朱李月华优秀博士生奖学金、宝钢优秀学生奖学金和德国洪堡基金等,本人也获“中国科学院优秀导师”奖和“优秀研究生指导教师”奖等。作为第一完成人,获得2013年度北京市科学技术奖二等奖、2017年度国家技术发明奖二等奖、2017年度中国光学工程学会科技创新奖一等奖、2018年度中国专利金奖和2020年度部委科学技术进步奖一等奖。2021年当选为中国科学院信息技术科学部院士。


近年来,在硅基光子晶体和激光产生研究方面,采用硅基纳米结构材料,实现高Q值的光子晶体微腔,首次在国际上采用硅基光子晶体宽带隙材料,实现可见光的锁模脉冲激射,上述工作被作为前沿技术进展分别在Laser Focus World(2003.2)、Photonics等杂志报道;在III-V族半导体材料与器件的研究方面,在国内首次实现InP基光子晶体面发射、边发射微腔激光器的突破;在光子集成新技术方面,研制出国内首台具有自主知识产权的晶片键合、清洗系统。作为项目负责人和主要完成人承担和完成了"九.五"863、"十.五"863、自然科学基金等项目。发表论文八十余篇,拥有美国专利一项,申请国内专利十余项。作为课题负责人承担多项国家任务。


祝宁华


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中国科学院半导体研究所研究员、


雄安创新研究院院长、中国科学院院士


祝宁华,中国科学院半导体研究所研究员。1990年毕业于电子科技大学,获学士、硕士和博士学位,1994年在中山大学晋升教授;1994年在香港城市大学任研究员(Research Fellow);1996年在德国西门子任客座科学家(洪堡学者);1998年入选“中国科学院高层次引进人才计划”到中国科学院半导体研究所工作,曾任副所长(法定代表人),1998年获“国家杰出青年科学基金”。2019年5月任中国科学院雄安创新研究院筹建组组长,现任雄安创新研究院院长。2021年当选为中国科学院信息技术科学部院士。


祝宁华专注于微波光子器件与技术的研究,在高速激光器芯片和模块研究、光生微波新机制探索方面取得具有重要实用价值的创新成果。作为第一完成人获国家技术发明二等奖2项、省部级一等奖3项,以及光华工程科技奖和中科院杰出成就奖(个人)等奖项。在Nature Commun.和Light等刊物上发表SCI论文283篇(第一作者50篇),受邀在IEEE-JSTQE,IEEE-JQE和JLT等刊物上撰写8篇特邀文章,第一作者出版著作3部;获授权发明专利120多件(其中美国专利6件);曾任国家863计划微电子与光电子主题专家,国家基金委国际合作咨询专家组和信息科学部专家评审组成员,现任国家重点专项“光电子与微电子器件及集成”专家组组长。


文章转载自:中国之光网

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